文獻學最全名詞解釋范文第1篇
2.金屬鍵:自由電子與原子核之間靜電作用產生的鍵合力。 3.離子鍵：金屬原子自己最外層的價電子給予非金屬原子，使自己成為帶正電的正離子，而非金屬得到價電子后使自己成為帶負電的負離子，這樣正負離子靠它們之間的靜電引力結合在一起。 共價鍵：由兩個或多個電負性相差不大的原子間通過共用電子對而形成的化學鍵。 氫鍵：由氫原子同時與兩個電負性相差很大而原子半徑較小的原子(O，F，N等)相結合而產生的具有比一般次價鍵大的鍵力。 弗蘭克缺陷：間隙空位對缺陷 肖脫基缺陷：正負離子空位對的
奧氏體：γ鐵內固溶有碳和(或)其他元素的、晶體結構為面心立方的固溶體。 布拉菲點陣:除考慮晶胞外形外，還考慮陣點位置所構成的點陣。 不全位錯：柏氏矢量不等于點陣矢量整數倍的位錯稱為不全位錯。
玻璃化轉變溫度：過冷液體隨著溫度的繼續下降，過冷液體的黏度迅速增大，原子間的相互運動變得更加困難，所以當溫度降至某一臨界溫度以下時，即固化成玻璃。這個臨界溫度稱為玻璃化溫度Tg。
表面能:表面原子處于不均勻的力場之中，所以其能量大大升高，高出的能量稱為表面自由能(或表面能)。 半共格相界：若兩相鄰晶體在相界面處的晶面間距相差較大，則在相界面上不可能做到完全的一一對應，于是在界面上將產生一些位錯，以降低界面的彈性應變能，這時界面上兩相原子部分地保持匹配，這樣的界面稱為半共格界面或部分共格界面。
柏氏矢量:描述位錯特征的一個重要矢量，它集中反映了位錯區域內畸變總量的大小和方向，也使位錯掃過后晶體相對滑動的量。 柏氏矢量物理意義：
① 從位錯的存在使得晶體中局部區域產生點陣畸變來說：一個反映位錯性質以及由位錯引起的晶格畸變大小的物理量。
② 從位錯運動引起晶體宏觀變形來說：表示該位錯運動后能夠在晶體中引起的相對位移。
部分位錯：柏氏矢量小于點陣矢量的位錯 包晶轉變：在二元相圖中，包晶轉變就是已結晶的固相與剩余液相反應形成另一固相的恒溫轉變。
包析反應:由兩個固相反應得到一個固相的過程為包析反應。 包析轉變：兩個一定成分的固相在恒溫(T)下轉變為一個新的固相的恒溫反應。包析轉變與包晶轉變的相圖特征類似，只是包析轉變中沒有液相，只有固相。 粗糙界面：界面的平衡結構約有一半的原子被固相原子占據而另一半位置空著，這時界面稱為微觀粗糙界面。 重合位置點陣：當兩個相鄰晶粒的位相差為某一值時，若設想兩晶粒的點陣彼此通過晶界向對方延伸，則其中一些原子將出現有規律的相互重合。由這些原子重合位置所組成的比原來晶體點陣大的新點陣，稱為重合位置點陣。 成分過冷;界面前沿液體中的實際溫度低于由溶質分布所決定的凝固溫度時產生的過冷。 超塑性：某些材料在特定變形條件下呈現的特別大的延伸率。 超結構(超點陣，有序固溶體)：對某些成分接近于一定的原子比(如AB或AB3)的無序固溶體中，當它從高溫緩冷到某一臨界溫度以下時，溶質原子會從統計隨機分布狀態過渡到占有一定位置的規則排列狀態，即發生有序化過程，形成有序固溶體。
動態回復：在塑變過程中發生的回復。
動態再結晶：在塑變過程中發生的再結晶。 特點：反復形核，有限長大，晶粒較細。包含亞晶粒，位錯密度較高，強度硬度高。
點陣畸變:在局部范圍內，原子偏離其正常的點陣平衡位置，造成點陣畸變。 點陣常數：單胞的棱長。
單位位錯:把柏氏矢量等于單位點陣矢量的位錯稱為單位位錯。
堆垛層錯：實際晶體結構中，密排面的正常堆垛順序有可能遭到破壞和錯排。 大角度晶界：相鄰晶粒的位相差大于10o 單晶體：是指在整個晶體內部原子都按照周期性的規則排列。 多晶體：是指在晶體內每個局部區域里原子按周期性的規則排列，但不同局部區域之間原子的排列方向并不相同，因此多晶體也可看成由許多取向不同的小單晶體(晶粒)組成
多滑移:當外力在幾個滑移系上的分切應力相等并同時達到了臨界分切應力時，產生同時滑移的現象。
多形性：當外界條件(溫度和壓力)改變時，元素的晶體結構可以發生轉變，把這種性質稱為多形性。 多邊形化：由于位錯運動使其由冷塑性變形時的無序狀態變為垂直分布，形成亞晶界，這一過程稱多邊形化。
對稱傾斜晶界：晶界兩側晶體互相傾斜 晶界的界面對于兩個晶粒是對稱的，其晶界視為一列平行的刃型位錯組成。
電子化合物:電子化合物是指由主要電子濃度決定其晶體結構的一類化合物，又稱休姆-羅塞里相。凡具有相同的電子濃度，則相的晶體結構類型相同。 電負性：元素獲得或吸引電子的相對傾向。
電離勢：從孤立的中性原子中去掉一個電子所需的能量。
電子親合力：孤立的中性負電性原子得到一個電子所釋放出的能量。 電子濃度：化合物中每個原子平均所占有的價電子數，用e/a表示。
二次再結晶:再結晶結束后正常長大被抑制而發生的少數晶粒異常長大的現象。 二次硬化: 高溫回火時回火硬度高于淬火硬度的現象. 非晶體:原子沒有長程的周期排列，無固定的熔點，各向同性等。
范德華鍵:由瞬間偶極矩和誘導偶極矩產生的分子間引力所構成的物理鍵。 范德華力：借助微弱的、瞬時的電偶極矩的感應作用將原來具有穩定的原子結構的原子或分子結合為一體的鍵合。
弗蘭克爾空位:離開平衡位置的原子擠入點陣中的間隙位置，而在晶體中同時形成相等數目的空位和間隙原子。
非共格晶界:當兩相在相界處的原子排列相差很大時，即錯配度δ很大時形成非共格晶界。同大角度晶界相似，可看成由原子不規則排列的很薄的過渡層構成。 非均勻形核:新相優先在母相中存在的異質處形核，即依附于液相中的雜質或外來表面形核。
固溶體:是以某一組元為溶劑，在其晶體點陣中溶入其他組元原子(溶劑原子)所形成的均勻混合的固態溶體，它保持溶劑的晶體結構類型。
固溶強化：由于合金元素(雜質)的加入，導致的以金屬為基體的合金的強度得到加強的現象。原因：由于溶質原子與位錯相互作用的結果，溶質原子不僅使晶格發生畸變，而且易被吸附在位錯附近形成柯氏氣團，使位錯被釘扎住，位錯要脫釘，則必須增加外力，從而使變形抗力提高。 割階：若由運動的位錯線或發生交割形成的曲折線段垂直于位錯的滑移面時，則稱為割階。 扭折：若由運動的位錯線或發生交割形成的曲折線段在位錯的滑移面上時，稱為扭折。
過飽和點缺陷：通過改變外部條件形成點缺陷，包括高溫淬火、冷變形加工、高能粒子輻照等，這時的點缺陷濃度超過了平衡濃度，稱為過飽和的點缺陷 過冷：結晶只有在T0以下的實際結晶溫度下才能進行，這種現象稱為過冷。 過冷度:相變過程中冷卻到相變點以下某個溫度后發生轉變，平衡相變溫度與該實際轉變溫度之差稱過冷度。 光滑界面：界面的平衡結構應是只有少數幾個原子位置被占據，或者極大部分原子位置都被固相原子占據，即界面基本上為完整的平面，這時界面呈光滑界面。 共晶轉變：合金系中某一定化學成分的合金在一定溫度下，同時由液相中結晶出兩種不同成分和不同晶體結構的固相的過程稱為共晶轉變。 共析轉變：由一種固相分解得到其他兩個不同固相的轉變。 共析反應：是指在一定溫度下，由一定成分的固相同時析出兩個成分和結構完全不同的新固相的過程。共析轉變也是固態相變
共格相界：如果兩相界面上的所有原子均成一一對應的完全匹配關系,即界面上的原子同時處于兩相晶格的結點上,為相鄰兩晶體所共有,這種相界就稱為共格相界。
滑移線：材料在屈服時，試樣表面出現的線紋稱為滑移線。
滑移帶：滑移線的集合構成滑移帶，滑移帶是由更細的滑移線所組成. 滑移：在外加切應力的作用下，通過位錯中心附近的原子沿柏氏矢量方向在滑移面上不斷地作少量的位移而逐步實現的。 位錯滑移的特點
1) 刃型位錯滑移的切應力方向與位錯線垂直，而螺型位錯滑移的切應力方向與位錯線平行;
2) 無論刃型位錯還是螺型位錯，位錯的運動方向總是與位錯線垂直的;(伯氏矢量方向代表晶體的滑移方向)
3) 刃型位錯引起的晶體的滑移方向與位錯運動方向一致，而螺型位錯引起的晶體的滑移方向與位錯運動方向垂直;
4) 位錯滑移的切應力方向與柏氏矢量一致;位錯滑移后，滑移面兩側晶體的相對位移與柏氏矢量一致。
5) 對螺型位錯，如果在原滑移面上運動受阻時，有可能轉移到與之相交的另一滑移面上繼續滑移，這稱為交滑移 (雙交滑移)
滑移系:晶體中一個滑移面及該面上一個滑移方向的組合稱一個滑移系。 回復:指新的無畸變晶粒出現之前所產生的亞結構和性能變化的階段。
合金:兩種或兩種以上的金屬或金屬與非金屬經熔煉、燒結或其他方法組合而成并具有金屬特性的物質。
合晶轉變是由兩個成分不同的液相L1和L2相互作用形成一個固相，即 L1 + L2 ? b 混合位錯：其滑移矢量既不平行也不垂直于位錯線，而與位錯線相交成任意角度，這種位錯稱為混合位錯。
近程有序：在非晶態結構中，原子排列沒有規律周期性，原子排列從總體上是無規則的，但是，近鄰的原子排列是有一定的規律的這就是“短程有序”。
結構起伏：液態結構的原子排列為長程無序，短程有序，并且短程有序原子集團不是固定不變的，它是一種此消彼長、瞬息萬變、尺寸不穩定的結構，這種現象稱為結構起伏。
晶體結構：晶體中原子(分子或離子)在三維空間的具體排列方式,其類型取決于原子的結合方式，陣點的位置上可以是一個或多個實際質點或者原子團，其種類可以是無限的。
晶格：人為地將陣點用一系列相互平行的直線連接起來形成空間架格。
晶格畸變：點缺陷破壞了原子的平衡狀態，使晶格發生扭曲，稱晶格畸變。從而使強度、硬度提高，塑性、韌性下降;電阻升高，密度減小等。 晶面：點陣中陣點組成的面，表示原子面。 晶向：點陣中陣點的連線，表示原子列的方向。
晶體:原子按一定方式在三維空間內周期性地規則重復排列，有固定熔點、各向異性。
晶粒長大：是指再結晶結束后晶粒的長大過程，在晶界界面能的驅動下，新晶粒會發生合并長大，最終達到一個相對穩定的尺寸。 晶帶軸：所有平行或相交于某一晶向直線的晶面構成一個晶帶，此直線稱為晶帶軸。
間隙固溶體:溶質原子分布于溶劑晶格間隙而形成的固溶體稱為間隙固溶體。 晶胞:在點陣中取出一個具有代表性的基本單元(最小平行六面體)作為點陣的組成單元，稱為晶胞。
間隙相:當非金屬(X)和金屬(M)原子半徑的比值rX/rM<0.59 時，形成的具有簡單晶體結構的相，稱為間隙相。
間隙化合物:當非金屬(X)和金屬(M)原子半徑的比值rX/rM>0.59 時，形成具有復雜晶體結構的相，
大角度晶界:多晶材料中各晶粒之間的晶界稱為大角度晶界，即相鄰晶粒的位相差大于10o的晶界。
交滑移:當某一螺型位錯在原滑移面上運動受阻時，有可能從原滑移面轉移到與之相交的另一滑移面上去繼續滑移，這一過程稱為交滑移。
界面能:界面上的原子處在斷鍵狀態，具有超額能量。平均在界面單位面積上的超額能量叫界面能。
晶界偏聚:由于晶內與晶界上的畸變能差別或由于空位的存在使得溶質原子或雜質原子在晶界上的富集現象。
晶界:晶界是成分結構相同的同種晶粒間的界面。 晶界特性
1)晶粒的長大和晶界的平直化能減少晶界面積和晶界能，在適當的溫度下是一個自發的過程;須原子擴散實現
2) 晶界處原子排列不規則，常溫下對位錯的運動起阻礙作用，宏觀上表現出提高強度和硬度;而高溫下晶界由于起粘滯性，易使晶粒間滑動;
3) 晶界處有較多的缺陷，如空穴、位錯等，具有較高的動能，原子擴散速度比晶內高;
4) 固態相變時，由于晶界能量高且原子擴散容易，所以新相易在晶界處形核; 5) 由于成分偏析和內吸附現象，晶界容易富集雜質原子，晶界熔點低，加熱時易導致晶界先熔化;?過熱
6)由于晶界能量較高、原子處于不穩定狀態，以及晶界富集雜質原子的緣故，晶界腐蝕比晶內腐蝕速率快。
界面：通常包含幾個原子層厚的區域，其原子排列及化學成分不同于晶體內部，可視為二維結構分布，也稱為晶體的面缺陷。包括：外表面和內界面
外表面：指固體材料與氣體或液體的分界面。它與摩擦、吸附、腐蝕、催化、光學、微電子等密切相關。
內界面：分為 晶粒界面、亞晶界、孿晶界、層錯、相界面等。
晶界能:不論是小角度晶界或大角度晶界，這里的原子或多或少地偏離了平衡位置，所以相對于晶體內部，晶界處于較高的能量狀態，高出的那部分能量稱為晶界能，或稱晶界自由能。
間隙固溶體：溶質原子分布于溶劑晶格間隙而形成的固溶體稱為間隙固溶體。 結晶:物質從液態(溶液或熔融狀態)或氣態凝出具有一定的幾何形狀的固體(晶體)的過程。
交聯：線型或支鏈型高分子鏈間以共價鍵連接成網狀或體形高分子的過程。 交割：當一位錯在某一滑移面上運動時，會與穿過滑移面的其他位錯交割。 位錯交割的特點
1) 運動位錯交割后，在位錯線上可能產生一個扭折或割階，其大小和方向取決于另一位錯的柏氏矢量，但具有原位錯線的柏氏矢量(指扭折或割階的長度和方向) 2) 所有的割階都是刃型位錯，而扭折可以是刃型也可是螺型的。
3) 扭折與原位錯線在同一滑移面上，可隨位錯線一道運動，幾乎不產生阻力，且在線張力的作用下易于消失;
4)割階與原位錯不在同一滑移面上，只能通過攀移運動，所以割階是位錯運動的障礙--- 割階硬化。
加工硬化:金屬經冷塑性變形后，其強度和硬度上升，塑性和韌性下降，這種現象稱為加工硬化。原因：隨變形量增加, 位錯密度增加，由于位錯之間的交互作用(堆積、纏結)，使得位錯難以繼續運動，從而使變形抗力增加;這是最本質的原因。
均勻形核:新相晶核是在母相中存在均勻地生長的，即晶核由液相中的一些原子團直接形成，不受雜質粒子或外表面的影響。 非均勻形核：新相優先在母相中存在的異質處形核，即依附于液相中的雜質或外來表面形核。 空位：晶體中點陣結點上的原子以其平衡位置為中心作熱振動，當振動能足夠大時，將克服周圍原子的制約，跳離原來的位置，使得點陣中形成空結點，稱為空位。
空間點陣:指幾何點在三維空間作周期性的規則排列所形成的三維陣列，是人為的對晶體結構的抽象。 擴展位錯：通常指一個全位錯分解為兩個不全位錯，中間夾著一個堆垛層錯的整個位錯形態。
擴散：熱激活的院子通過自身的熱震動克服束縛而遷移它處的過程。 自擴散：不依賴于濃度梯度，而僅由熱振動而產生的擴散。 互擴散：在置換式固溶體中，兩組元互相擴散。
間隙擴散：這是原子擴散的一種機制，對于間隙原子來說，由于其尺寸較小，處于晶格間隙中，在擴散時，間隙原子從一個間隙位置跳到相鄰的另一個間隙位置，形成原子的移動。
反應擴散:伴隨有化學反應而形成新相的擴散稱為反應擴散。 空位擴散：擴散原子從正常位置跳動到鄰近的空位，即通過原子與空位交換位置而實現擴散。每次跳遷須有空位遷移與之配合。
下坡擴散：組元從高濃度區向低濃度區遷移的擴散的過程稱為下坡擴散。 上坡擴散：組元從低濃度區向高濃度區遷移的擴散的過程稱為上坡擴散。 穩態擴散：擴散組元的濃度只隨距離變化，而不隨時間變化。
非穩態擴散:擴散組元的濃度不僅隨距離x 變化，也隨時間變化的擴散稱為非穩態擴散。
擴散系數：相當于質量濃度為一時，單位時間內的擴散通量。 互擴散系數：在互擴散當中，用來代替兩種原子的方向相反的擴散系數D
1、D2。 體擴散：物質在晶體內部的遷移過程。
表面擴散：是指原子、離子、分子以及原子團在固體表面沿表面方向的運動。當固體表面存在化學勢梯度場，擴散物質的濃度變化或樣品表面的形貌變化時。 晶界擴散：是指原子沿著晶界滲入晶粒。
擴散退火：生產上常將鑄件加熱到固相線以下100-200℃長時間保溫，以使原子充分擴散、成分均勻，消除枝晶偏析，這種熱處理工藝稱做擴散退火。
柯肯達爾效應:反映了置換原子的擴散機制，兩個純組元構成擴散偶，在擴散的過程中，界面將向擴散速率快的組元一側移動。 柯氏氣團:通常把溶質原子與位錯交互作用后，在位錯周圍偏聚的現象稱為氣團，是由柯垂爾首先提出，又稱柯氏氣團。
螺型位錯：位錯線附近的原子按螺旋形排列的位錯稱為螺型位錯。
孿晶:孿晶是指兩個晶體(或一個晶體的兩部分)沿一個公共晶面構成鏡面對稱的位向關系，這兩個晶體就稱為孿晶，此公共晶面就稱孿晶面。 孿生:晶體受力后，以產生孿晶的方式進行的切變過程叫孿生。 物質結晶時，晶體結構位置上的某些離子或原子的位置部分或全部地被介質中性質相近的其他離子活原子所置換，共同結晶成的單相晶體，而不改變晶體結構化和鍵性，只引起晶胞參數微小變化的現象。 臨界晶粒：由于新相形核時單位體積的自由能減少，而新相表面的表面自由能增加，所以新相的晶核必須具有或超過一定臨界尺寸r*才能成為穩定的晶核，半徑為r*的晶核稱為臨界晶核。
臨界形核功：形成臨界晶核所需要的功。
臨界分切應力:滑移系開動所需的最小分切應力;它是一個定值，與材料本身性質有關，與外力取向無關。
臨界變形度:給定溫度下金屬發生再結晶所需的最小預先冷變形量。
離異共晶:共晶體中的α相依附于初生α相生長，將共晶體中另一相β推到最后凝固的晶界處，從而使共晶體兩組成相相間的組織特點消失，這種兩相分離的共晶體稱為離異共晶。
萊氏體:鐵碳相圖共晶轉變的產物，是共晶奧氏體和共晶滲碳體的機械混合物。 馬氏體轉變：同成分、不變平面切變類型的固態轉變。 彌散強化：許多材料由兩相或多相構成，如果其中一相為細小的顆粒并彌散分布在材料內，則這種材料的強度往往會增加，稱為彌散強化。原因：由于硬的顆粒不易被切變，因而阻礙了位錯的運動，提高了變形抗力。
密勒指數：由晶面指數和晶向指數組成，晶面指數表示晶面的方向，晶向指數表示晶體中點陣方向。
能量最低原理：電子的排布總是盡可能的使體系的能量最低。 能量起伏：是指體系中每個微小體積所實際具有的能量，會偏離體系平均能量水平而瞬時漲落的現象。
扭折：位錯交割形成的曲折線段在位錯的滑移面上時，稱為扭折。 配位數:晶體結構中任一原子周圍最近鄰且等距離的原子數。
配位多面體:原子或離子周圍與它直接相鄰結合的原子或離子的中心連線所構成的多面體，稱為原子或離子的配位多面體。 偏析:合金中化學成分的不均勻性。 偏晶轉變：是一個液相L1分解出一個固相和另一成分的液相L2的轉變。有可能產生偏晶轉變的二元系往往在液態時兩組元只能部分溶解，或幾乎不溶解
平衡分配系數k0：平衡凝固時固相的溶質質量分數wS(成分)和液相溶質質量分數wL(成分)之比。 平衡凝固：指凝固過程中的每個階段都能達到平衡，即在相變過程中有充分的時間進行組元間的擴散。
派-納力：晶體滑移需克服晶體點陣對位錯的阻力，即點陣阻力。 攀移：通過空位或原子的擴散使刃型位錯離開原滑移面作上下運動。 平面狀：在正溫度梯度下，純晶體凝固時，粗糙界面的晶體其生長形態呈平面狀，界面與相面等溫而平行樹枝晶。 去應力退火：利用回復現象將冷變形金屬低溫加熱，既穩定組織又保留加工硬化，這種熱處理方法稱去應力退火。
區域熔煉：原始質量濃度為?0，凝固前端部分的溶質濃度不斷下降(k0<1)，后端部分不斷富集，使前端溶質減少而得到提純，也叫區域提純。 全位錯:把柏氏矢量等于點陣矢量或其整數倍的位錯稱為全位錯。 點缺陷：最簡單的晶體缺陷，在結點上或鄰近的微觀區域內偏離晶體結構的正常排列。在空間三維方向上的尺寸都很小，約為一個、幾個原子間距，又稱零維缺陷。包括空位、間隙原子、雜質、溶質原子等。
線缺陷：在一個方向上的缺陷擴展很大，其它兩個方向上尺寸很小，也稱為一維缺陷。主要為位錯。
面缺陷：在兩個方向上的缺陷擴展很大，其它一個方向上尺寸很小，也稱為二維缺陷。包括晶界、相界、孿晶界、堆垛層錯等。
刃型位錯:晶體中的某一晶面，在其上半部有多余的半排原子面，好像一把刀刃插入晶體中，使這一晶面上下兩部分晶體之間產生了原子錯排，稱為刃型位錯。 刃型位錯線可以理解為已滑移區和未滑移區的分界線，它不一定是直線。 熱加工：在加工變形的同時產生加工硬化和動態回復與再結晶，并且熱加工產生的加工硬化很快被回復再結晶產生的軟化所抵消，所以熱加工體現不出加工硬化現象。
熱平衡缺陷：由于熱起伏促使原子脫離點陣位置而形成的點缺陷稱為熱平衡缺陷，這是晶體內原子的熱運動的內部條件決定的。 熔晶轉變：是一個固相轉變為另一個固相和一個液相的恒溫轉變。之所以稱為熔晶轉變，是因為固相在溫度下降時可以部分熔化。
雙交滑移:如果交滑移后的位錯再轉回和原滑移面平行的滑移面上繼續運動，則稱為雙交滑移。
時效:過飽和固溶體后續在室溫或高于室溫的溶質原子脫溶過程。 施密特因子:亦稱取向因子，為cosΦcosλ, Φ為滑移面與外力F 中心軸的夾角，λ為滑移方向與外力F 的夾角。
樹枝晶：樹枝晶的基本結構單元也是折疊鏈片晶，但與球晶不同的是，球晶是在所有半徑方向以相同的速度發展，樹枝晶則是在特定方向上優先發展，樹枝晶中晶片具有規則的外形。
樹枝狀：在負溫度梯度下，純晶體凝固時，處于溫度更低的液相中，是凸出的部分的生長速度增大而進一步伸向液體中，這種情況下液-固界面會形成許多伸向液體的分支的生長方式。
同質異構體:化學組成相同由于熱力學條件不同而形成的不同晶體結構。 相同的化學組成，在不同的熱力學條件下卻能形成不同的晶體結構，表現出不同的物理、化學性質。我們把同一種化學組成在不同的熱力學條件下(溫度、壓力、pH等)，可以結晶成為兩種以上不同結構的晶體的現象稱為同質多晶(同質多象)。 拓撲密堆相:由兩種大小不同的金屬原子所構成的一類中間相，其中大小原子通過適當的配合構成空間利用率和配位數都很高的復雜結構。由于這類結構具有拓撲特征，故稱這些相為拓撲密堆相。 調幅分解：過飽和固溶體在一定溫度下分解成結構相同、成分不同的兩個相的過程。
退火孿晶：由于相變過程中原子重新排列時發生錯排而產生的，稱退火孿晶 無限固溶體)：溶質的固溶度可達100%的固溶體。 無序固溶體)：溶質原子在溶劑晶體結構中的分布是任意的、無規則的，不均勻的，這便是無序固溶體的概念。
位錯:是晶體內的一種線缺陷，其特點是沿一條線方向原子有規律地發生錯排;這種缺陷用一線方向和一個柏氏矢量共同描述。
位錯反應：位錯線之間可以合并或分解，稱為位錯反應。 位錯塞積：是指晶體塑性變形時往往在一滑移面上許多位錯被迫堆積在某種障礙物前，形成位錯群的堆聚。這些位錯來自同一位錯源，因此具相同的伯格斯矢量。 位錯滑移:在一定應力作用下，位錯線沿滑移面移動的位錯運動。 位錯線：晶體的已滑移區與未滑移區的交線。
位錯的應變能：位錯周圍點陣畸變引起的彈性應力場，導致晶體能量的增加，稱為位錯的應變能或位錯的能量。
偽共晶:非平衡凝固條件下，某些亞共晶或過共晶成分的合金也能得到全部的共晶組織，這種由非共晶成分的合金得到的共晶組織稱為偽共晶。
偽共析轉變:非平衡轉變過程中，處在共析成分點附近的亞共析、過共析合金，轉變終了組織全部呈共析組織形態。
細晶強化:晶粒愈細小，晶界總長度愈長，對位錯滑移的阻礙愈大，材料的屈服強度愈高。晶粒細化導致晶界的增加，位錯的滑移受阻，因此提高了材料的強度。因為晶粒越細，單位體積內晶粒數目越多，參與變形的晶粒數目也越多，變形越均勻，使在斷裂前發生較大的塑性變形。強度和塑性同時增加,金屬在斷裂前消耗的功也越大，因而其韌性也比較好。
小角度晶界:相鄰亞晶粒之間的位相差小于10o，這種亞晶粒間的晶界稱為小角度晶界，一般小于2o，可分為傾斜晶界、扭轉晶界、重合晶界等。
肖脫基空位:在個體中晶體中，當某一原子具有足夠大的振動能而使振幅增大到一定程度時，就可能克服周圍原子對它的制約作用，跳離其原來位置，遷移到晶體表面或內表面的正常結點位置上而使晶體內部留下空位，稱為肖脫基空位。 形變織構:多晶體形變過程中出現的晶體學取向擇優的現象叫形變織構。 形變強化：由塑性變形引起的材料強度、硬度升高的現象。 相：是指合金中具有同一聚集狀態、同一晶體結構和性質并以界面相互隔開的均勻組成部分。
相圖:描述各相平衡存在條件或共存關系的圖解，也可稱為平衡時熱力學參量的幾何軌跡。
相界面：屬于不同結構的兩相之間的分界面。
相律:相律給出了平衡狀態下體系中存在的相數與組元數及溫度、壓力之間的關系，可表示為：F=C+P-2,F為體系的自由度數，C 為體系的組元數，P 為相數。 線膨脹系數：固體物質的溫度每改變1℃時，其長度的變化和它在0℃時長度之比。
勻晶反應：這種從液相中結晶出單一固相的轉變稱為勻晶轉變或勻晶反應。 有序固溶體：當一種組元溶解在另一組元中時，各組元原子分別占據各自的布拉維點陣的一種固溶體，形成一種各組元原子有序排列的固溶體，溶質在晶格完全有序排列。
有限固溶體：在一定的條件下，溶質組元在固溶體中的濃度有一定的限度，超過這個限度就不再溶解了;。這一限度稱為溶解度或固溶度，這種固溶體就稱為有限固溶體。大部分固溶體都屬于有限固溶體。
亞晶粒:一個晶粒中若干個位相稍有差異的晶粒稱為亞晶粒。 亞晶界:相鄰亞晶粒間的界面稱為亞晶界。 應變時效:第一次拉伸后，再立即進行第二次拉伸，拉伸曲線上不出現屈服階段。但第一次拉伸后的低碳鋼試樣在室溫下放置一段時間后，再進行第二次拉伸，則拉伸曲線上又會出現屈服階段。不過，再次屈服的強度要高于初次屈服的強度。這個試驗現象就稱為應變時效。
異質形核:晶核在液態金屬中依靠外來物質表面或在溫度不均勻處擇優形成。 亞穩相:亞穩相指的是熱力學上不能穩定存在，但在快速冷卻成加熱過程中，由于熱力學能壘或動力學的因素造成其未能轉變為穩定相而暫時穩定存在的一種相。
元素周期律：元素的外層電子結構隨著原子序數(核中帶正電荷的質子數)的遞增而呈周期性的變化規律。 楊氏模量：材料在彈性變形階段，其應力和應變成正比例關系(即符合胡克定律)，其比例系數稱為楊氏模量。
原子堆垛因子：在晶體結構中原子占據的體積與可利用的總體積的比率 陣點、結點：構成空間點陣的每個點。 中間相:兩組元A 和B 組成合金時，除了形成以A 為基或以B 為基的固溶體外，還可能形成晶體結構與A，B 兩組元均不相同的新相。由于它們在二元相圖上的位置總是位于中間，故通常把這些相稱為中間相。 致密度:晶體結構中原子體積占總體積的百分數。
置換固溶體:當溶質原子溶入溶劑中形成固溶體時，溶質原子占據溶劑點陣的陣點，或者說溶質原子置換了溶劑點陣的部分溶劑原子，這種固溶體就稱為置換固溶體。
再結晶:冷變形后的金屬加熱到一定溫度之后，在原變形組織中重新產生了無畸變的新晶粒，而性能也發生了明顯的變化并恢復到變形前的狀態，這個過程稱為再結晶。(指出現無畸變的等軸新晶粒逐步取代變形晶粒的過程)
再結晶溫度:形變金屬在一定時間(一般1h)內剛好完成再結晶的最低溫度。 再結晶退火：所謂再結晶退火工藝，一般是指將冷變形后的金屬加熱到再結晶溫度以上，保溫一段時間后，緩慢冷卻至室溫的過程。
再結晶的形核率是指單位時間、單位體積內形成的再結晶核心的數目，一般用N表示;晶核一旦形成便會繼續長大至相鄰晶粒彼此相遇，長大速率用G表示。 再結晶織構:再結晶退火后形成的織構。退火可將形變織構消除，也可形成新織構。
珠光體:鐵碳合金共析轉變的產物，是共析鐵素體和共析滲碳體的層片狀混合物。 重心法則：處于三相平衡的合金，其成分點必位于共軛三角形的重心位置。 枝晶偏析:固溶體在非平衡冷卻條件下，勻晶轉變后新得的固溶體晶粒內部的成分是不均勻的，先結晶的內核含較多的高熔點的組元原子，后結晶的外緣含較多的低熔點的組元原子，而通常固溶體晶體以樹枝晶方式長大，這樣，枝干含高熔點組元較多，枝間含低熔點組元原子多，造成同一晶粒內部成分的不均勻現象。 正偏析：溶質濃度由錠表面向中心逐漸增加的不均勻分布稱為正偏析，它是宏觀偏析的一種。這種偏析通過擴散退火也難以消除。 直線法則：在一定溫度下三組元材料兩相平衡時，材料的成分點和其兩個平衡相的成分點必然位于成分三角形內的一條直線上，該規律稱為直線法則或三點共線法則
重心法則：成分為R的三元合金在某一溫度下,分解成α,β,γ三個相,則R的成分點必定位于△αβγ的重心位置上。
Pauli不相容原理：在一個原子中不可能有運動狀態完全相同的兩個電子，即不可能有四個量子數都相同的兩個原子。
Hund規則：在同一亞層中的各個能級中，電子的排布盡可能分占不同的能級，而且自旋方向相同。
晶粒的長大：正常長大，異常長大。
正常長大：大多數晶粒幾乎同時長大，晶粒長大的驅動力是降低其界面能，晶粒界面的不同曲率是造成界面遷移的直接原因，界面總是向曲率中心的方向移動。 異常長大(不連續晶粒長大、二次再結晶)：少數晶粒突發性不均勻長大，使晶粒之間尺寸差別顯著增大，直至這些迅速長大的晶粒完全相互接觸為止。 塑性變形的方式：主要通過滑移和孿生、還有扭折。 滑移是通過滑移面上的位錯的運動來實現的。 孿生與滑移的主要區別
1 孿生通過晶格切變使晶格位向改變，使變形部分與未變形 部分呈鏡面對稱;而滑移不引起晶格位向改變。
2 孿生時，相鄰原子面的相對位移量小于一個原子間距;而滑移時滑移面兩側晶體的相對位移量是原子間距的整數倍。
3 孿生所需要的切應力比滑移大得多，變形速度大得多
回復階段退火的作用： 提高擴散 促進位錯運動 釋放內應變能
回復退火產生的結果： 電阻率下降 硬度、強度下降不多 降低內應力 結構起伏與能量起伏是對應的。 粗糙界面長大機制：連續長大，晶體沿界面的法線方向向液相中生長。這種長大方式叫做垂直長大，或連續長大。
1原子間的一次結合鍵共有幾種?各自的特點如何?
(1) 金屬鍵：絕大多數金屬，基本特點是電子的共有化。 (2) 離子鍵：大多數鹽類、堿類和金屬化合物，基本特點是離子為結合單位。 (3) 共價鍵：亞金屬、聚合物和無機非金屬，主要特點是共用電子對。 2比較說明間隙固溶體、間隙化合物 間隙固溶體：于溶劑晶格間隙而形成的固溶體成為間隙固溶體。當溶質原子半徑很小，使溶質與溶劑的原子半徑差Δr > 41%時可形成間隙固溶體，通常引起晶格畸變，為有限固溶體;同純金屬相比，會產生固溶強化;導致物理、化學性能的變化。
間隙化合物：非金屬元素和金屬元素的原子半徑比值大于0.59時，形成具有復雜晶體結構的相稱為間隙化合物。如Fe3C、Cr7C3，Fe3W3C等。間隙化合物中原子間結合建為共價鍵和金屬鍵，其熔點和硬度均較高(但不如間隙相)。 3分析純金屬生長形態與溫度梯度的關系
純金屬生長形態是指晶體宏觀長大時界面的形貌。界面形貌取決于前沿液體中的溫度分布。
(1) 平面狀長大：當液體具有正溫度梯度時，晶體以平直界面方式推移長大。 (2) 樹枝狀長大：當液體具有負溫度梯度時，晶體以枝晶方式長大。 4鐵素體與奧氏體的根本區別在于晶體結構不同，前者為BCC，后者為FCC。 5回復和再結晶過程中材料性能的變化
強度與硬度：回復時變化小，再結晶時明顯減小 電阻：回復時明顯下降
內應力：回復時宏觀消失，再結晶時微觀再消失 亞晶粒尺寸：回復時前期小后期大
6什么叫臨界晶核半徑?它的物理意義?
答案: 臨界晶核半徑是指ΔG為最大值時的晶核半徑。 r0，晶核不能自動形成。
r>rc 時， ΔGv占優勢，故ΔG<0，晶核可以自動形成，并可以穩定生長。 7比較刃型位錯和螺型位錯的異同。為什么只有螺位錯可以發生交滑移而刃位錯卻不能?
答案: (1)相同：線缺陷、應力場、畸變能;
不同：位錯線與柏氏矢量的相對位向、應力場的性質、運動方式。
(2)螺位錯的柏氏矢量與位錯線平行，因此包含位錯線的所有晶面都可以是螺位錯的滑移面，因此當螺位錯滑移受阻時，他可以在另外一個晶面上進行滑移。 而刃位錯的柏氏矢量與位錯線垂直，他的滑移面就只有由位錯線和柏氏矢量構成的平面，所以他只能在這個面上滑移，故不能發生交滑移。 8原子擴散的驅動力是 濃度梯度
9.晶體材料在力的作用下，主要表現為: 線彈性變形 、非線彈性變形、均勻塑性變形、非均勻塑性變形、斷裂五個過程。
10.菲克第一定律描述了穩態擴散的特征，即濃度不隨時間變化 11馬氏體是C在α-Fe中的過飽和間隙式固溶體。具有 體心立方 點陣。馬氏體相變屬于位移型無擴散相變。
12固態相變按熱力學可分為一級相變、二級相變，按原子遷移方式可分為擴散型、切變型，按相變方式可分為有核相變、無核相變。
13在點陣中選取晶胞的原則有哪些?反映對稱性;相等的棱和角最多;直角最多;體積最小。
14簡述柏氏矢量的物理意義與應用。代表位錯;判斷位錯類型;表示晶體滑移的方向與大小;守+恒性及其推論。
15二元相圖中有哪些幾何規律?相區接觸法則;三相區是一條水平線„;三相區中間是由它們中相同的相組成的兩相區;單相區邊界線的延長線進入相鄰的兩相區。
16材料結晶的必要條件有哪些?過冷;結構起伏;能量起伏;成分起伏(合金)。 17細化材料鑄態晶粒的措施有哪些?提高過冷度;變質處理;振動與攪拌。 18簡述共晶系合金的不平衡冷卻組織及其形成條件。
(1) 偽共晶-非共晶合金得到的完全共晶組織; 條件: 冷卻速度快, 合金成分位于共晶點附件.(2) 不平衡共晶-共晶線以外的合金得到的共晶組織; 條件: 冷卻速度快, 合金成分位于共晶線以外端點附近..(3) 離異共晶-兩相分離的共晶組織; 條件: 不平衡條件下, 合金成分位于共晶線以外端點附近;平衡條件下, 合金成分位于共晶線以內端點附近. 19晶體中的滑移系與其塑性有何關系?(1) 一般滑移系越多,塑性越好;(2) 與滑移面密排程度和滑移方向個數有關;(3) 與同時開動的滑移系數目有關. 20馬氏體高強度高硬度的主要原因是什么?固溶強化; 細晶強化; 相變強化. 21哪一種晶體缺陷是熱力學平衡的缺陷，為什么?點缺陷. 因為在一定濃度點缺陷存在的情況下晶體的能力可達到最低狀態. Q試論材料強化的主要方法及其原理。
固溶強化. 原理:晶格畸變、柯氏氣團，阻礙位錯運動;方法：固溶處理、淬火等。
細晶強化：原理：晶界對位錯滑移的阻礙作用。方法：變質處理、退火等。 彌散強化：原理：第二相離子對位錯的阻礙作用;方法：形成第二硬質相如球化退火、變質處理等。
相變強化：原理：新相為高強相或新相對位錯的阻礙。方法：淬火等。 加工硬化;原理：形成高密度位錯等。方法：冷變形等。
1柏氏矢量的確定方法，如何利用柏氏矢量和位錯線來判斷位錯的類型?
答：首先在位錯線周圍作一逆時針回路,然后在無位錯的晶格內作同樣的回路,該回路必不閉合,連接終點與起點即為柏氏矢量. 位錯線與柏氏矢量垂直的是刃型位錯,平行的是螺型位錯. 2簡要說明成分過冷的形成及其對固溶體組織形態的影響。
答: 固溶體凝固時,由于溶質原子在界面前沿液相中的分布發生變化而形成的過冷. 3為什么晶粒細化既能提高強度，也能改善塑性和韌性?
答: 晶粒細化減小晶粒尺寸,增加界面面積,而晶界阻礙位錯運動,提高強度; 晶粒數量增加,塑性變形分布更為均勻,塑性提高; 晶界多阻礙裂紋擴展,改善韌性. 4共析鋼的奧氏體化有幾個主要過程?合金元素對奧氏體化過程有什么影響? 共析鋼奧氏體化有4個主要過程: 奧氏體形成、滲碳體溶解、奧氏體均勻化、晶粒長大。合金元素的主要影響通過碳的擴散體現，碳化物形成元素阻礙碳的擴散，降低奧氏體形成、滲碳體溶解、奧氏體均勻化速度。